特許
J-GLOBAL ID：200903025069302082
化合物半導体基板の微細加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
阿部 龍吉 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-333459
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302562
出願日： 1991年12月17日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 量子細線や量子箱等の微細な構造を有する半導体装置を容易に行うことができる化合物半導体基板の微細加工方法を提供する。【構成】 第1の工程(a)で、化合物半導体基板1上に数原子層以下の異種材料3を部分的に堆積し、第2の工程(b)で、該数原子層の異種材料3をマスクとして、エッチングにより該化合物半導体基板1に微細加工を施す。材料Bのエッチング速度が十分に遅く、材料Aのエッチング速度が速い場合には、1原子層以上の材料Bが表面に堆積している部位はエッチングが進まず、材料Bが堆積していない部位のみエッチングが行われる。この結果、材料Bの堆積していた部位の形状は、下地の材料Aに転写され縦型の結晶が形成される。この後、必要に応じて再度種々の材料を堆積することにより、100オングストローム程度の大きさの結晶構造を形成することができる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に数原子層以下の異種材料を部分的に堆積する第1の工程と、該数原子層の異種材料をマスクとして、エッチングにより該化合物半導体基板に微細加工を施す第2の工程を備えることを特徴とする化合物半導体基板の微細加工方法。
IPC (2件)：
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