特許

J-GLOBAL ID：200903025069402010

研磨による配線層の形成方法

発明者： 加藤 隆 ,  三沢 信裕 ,  大場 隆之 ,  岸井 貞浩 ,  堀江 博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282007
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132287
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、研磨により溝内に銅等の導電体膜を埋め込んで配線層とする研磨による配線層の形成方法に関し、配線層となる導電体膜の研磨時に導電体膜が剥がれないようにして、確実に配線層を形成することができる研磨による配線層の形成方法の提供を目的とする。【構成】基体11上に絶縁膜12を形成した後、配線層を形成すべき領域の絶縁膜12に溝13を形成する工程と、少なくとも溝13内が埋まるように配線層となる導電体膜14を形成する工程と、導電体膜14上に保護絶縁膜15を形成する工程と、保護絶縁膜15及び導電体膜14を研磨して溝13内に導電体膜14aを残存し、配線層14aを形成する工程とを含み構成する。

請求項（抜粋）：

基体上に絶縁膜を形成した後、配線層を形成すべき領域の前記絶縁膜に溝を形成する工程と、少なくとも前記溝内が埋まるように前記配線層となる導電体膜を形成する工程と、前記導電体膜上に保護絶縁膜を形成する工程と、前記保護絶縁膜及び導電体膜を研磨して前記溝内に前記導電体膜を残存し、前記配線層を形成する工程とを有する研磨による配線層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R