特許
J-GLOBAL ID：200903025071863830
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017988
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218036
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 タングステンと銅との積層構造を有する配線に関し,層間密着力の大きな配線構造を提供することを目的とする。【構成】 基板5上に,チタン層2を挟んでタングステン層3及び銅層1が積層されてなる電気配線9を有して構成される。
請求項（抜粋）：
基板(5)上に,チタン層(2)を挟んでタングステン層(3)及び銅層(1)が積層されてなる電気配線(9)を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
, H01L 29/46
