特許

J-GLOBAL ID：200903025077260429

エッチング方法

発明者： 逢坂 勉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216208
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044167
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 基板表面の窒化シリコン層を効率的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板表面の窒化シリコン層をエッチングする方法であって、基板表面を酸化性溶液に晒すことによって、前記窒化シリコン層表面に酸化膜を形成する第1ステップS1と、基板表面をフッ素含有溶液に晒すことによって、酸化膜をエッチングする第2ステップS2とを行うことを特徴としている。これらのステップは、必要に応じて繰り返し行っても良い。

請求項（抜粋）：

基板表面の窒化シリコン層をエッチングする方法であって、前記基板表面を酸化性溶液に晒すことによって、前記窒化シリコン層の表面に酸化膜を成長させる工程と、前記基板表面をフッ素含有溶液に晒すことによって、前記酸化膜をエッチングする工程とを行うことを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (2件)：

H01L 21/306 E ,  H01L 21/308 E

Fターム (6件)：

5F043AA35 ,  5F043BB23 ,  5F043BB30 ,  5F043DD02 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10