特許

J-GLOBAL ID：200903025077805859

多孔性シリカ膜、それを有する積層基板、それらの製造方法およびエレクトロルミネッセンス素子

発明者： 半田 敬信 ,  加和 学 ,  鳥海 傑 ,  綾 哲也 ,  森 寛 ,  船山 勝矢
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-348811
公開番号（公開出願番号）：特開2004-182490
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】脆さや密着性が改善された多孔性シリカ膜および積層基板、それらの製造方法および信頼性と光取り出し効率に優れたエレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】屈折率が1.10〜1.35であり;表面凹凸の最大値が100nm以下であり;熱重量測定-質量スペクトル分析において、炭素数1〜4のアルコール類のうち少なくとも一種の物質のピークを、その物質の760mmHgにおける沸点よりも高温域で与える;多孔性シリカ膜により、上記課題を解決した。また、積層基板は、基板上に上記多孔性シリカ膜を形成して得ることができ、エレクトロルミネッセンス素子は、上記積層基板を有し、その積層基板上に透明電極、エレクトロルミネッセンス層および陰極をこの順で積層して得ることができる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

屈折率が1.10〜1.35であり;表面凹凸の最大値が100nm以下であり;熱重量測定-質量スペクトル分析において、炭素数1〜4のアルコール類のうち少なくとも一種の物質のピークを、その物質の760mmHgにおける沸点よりも高温域で与える;ことを特徴とする多孔性シリカ膜。

IPC (6件)：

C03C17/02 ,  B32B9/00 ,  C03B19/12 ,  C03C17/34 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

FI (6件)：

C03C17/02 B ,  B32B9/00 A ,  C03B19/12 A ,  C03C17/34 Z ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 A

Fターム (33件)：

3K007AB03 ,  3K007AB08 ,  3K007AB15 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  4F100AA20B ,  4F100AH06B ,  4F100AR00A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100DJ00B ,  4F100GB41 ,  4F100JA20 ,  4F100JG01C ,  4F100JN01 ,  4F100JN01A ,  4F100JN01C ,  4F100JN18 ,  4G014AH04 ,  4G014AH06 ,  4G059AA08 ,  4G059AC08 ,  4G059AC12 ,  4G059CA01 ,  4G059CB05 ,  4G059GA01 ,  4G059GA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エアロゲル薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-126605   出願人：松下電工株式会社
• 低反射ガラスおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-303711   出願人：セントラル硝子株式会社
• アクティブマトリクス型発光素子及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-075074   出願人：松下電工株式会社