特許

J-GLOBAL ID：200903025080918664

縦型MOSトランジスタ及びその製造方法

発明者： 落合 淳一
出願人/特許権者： 宮城沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234647
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075132
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 ゲート幅Wを大きくすることによる、縦型MOSトランジスタ構造メリットの喪失又はパターン設計における自由度の低下をなくし、かつ製造が容易な縦型MOSトランジスタを得る。【構成】 縦型MOSトランジスタにおいて、デバイス面Aに対し、垂直に筒状シリコン31が設置され、筒の内側にゲート絶縁膜32を介したゲート電極33が埋め込まれており、ゲート電極端から各々ソースドレイン34が筒状シリコン31に形成されており、必要ゲート幅Wとは独立に空乏層幅に応じたシリコン層幅Dの設定が可能となり、縦型構造のメリットを十分に生かすことができる。

請求項（抜粋）：

素子形成面に対し、垂直に筒状のチャネル形成部が埋設され、該筒状のチャネル形成部の内側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、該ゲート電極を挟むように、前記筒状のチャネル形成部のゲート電極端から上下にソース・ドレイン領域が形成されることを特徴とする縦型MOSトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 321 X ,  H01L 29/78 321 Y