特許

J-GLOBAL ID：200903025086779704

積層構造体およびその製造方法

発明者： 各務 克巳
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-070298
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273212
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 フッ素ドープの層間絶縁膜を使用しても剥離の生じにくい積層構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 表面の一部の領域にフッ素を含む絶縁材料が露出し、他の領域の少なくとも一部に、主成分として銅を含む導電材料が露出した表面を有する基板を準備する。この基板の表面を水素プラズマに晒し、表面を清浄化する。清浄化された表面上に、絶縁材料からなる第1の膜を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)表面の一部の領域にフッ素を含む絶縁材料が露出し、他の領域の少なくとも一部に、主成分として銅を含む導電材料が露出した表面を有する基板の該表面を水素プラズマに晒し、該表面を清浄化する工程と、(b)清浄化された表面上に、絶縁材料からなる第1の膜を形成する工程とを有する積層構造体の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

Fターム (30件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033WW07 ,  5F033XX12 ,  5F033XX14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 配線の形成方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-341076   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-232522   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191804   出願人：富士通株式会社