特許
J-GLOBAL ID：200903025087982554
薄膜気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
成田 擴其
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-304233
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148439
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 被成膜基板の直前で2系統の原料ガスを均一に混合し、基板温度が高いときにも適切なガスの流れを基板に与えること。【構成】 縦型の反応容器1の上部は円錐状に形成されており、被成膜基板2の直上に、2重の円錐筒状ノズル11’の下端が位置する。同ノズルは、第1原料ガスAの供給路を形成する内筒12’と、この内筒の外側に設けられ、内筒との間に第2原料ガスBの供給路を形成すると共に、反応容器との間にパージガスCの供給路を形成する外筒13’からなり、第2原料ガスの供給路はノズル下端部の裾部30で閉塞されている。第2原料ガスは内筒の下端の周囲に間隔をおいて形成した多数の第2原料ガスの流出用小孔29から噴出し、内筒からの第1原料ガスと被成膜基板の直上で均一に混合される。ノズルの裾部は、その内壁は曲面状に形成し、ノズルの下端から小孔を離隔させる長さ寸法を有する。
請求項（抜粋）：
上部が円錐状に形成されている縦型の反応容器と、この反応容器の円錐状部内に設けられ、下端が被成膜基板の直上に位置する2重の円錐筒状ノズルであって、第1原料ガスの供給路を形成する内筒と、この内筒の外側に設けられ、内筒との間に第2原料ガスの供給路を形成すると共に前記反応容器との間にパージガスの供給路を形成する外筒とを有し、裾部によって前記内筒と外筒の下端を結合し、前記第2原料ガスの供給路が閉塞されている円錐筒状ノズルとを備え、前記ノズルにおける内筒の下端の周囲には間隔を置いて多数の第2原料ガスの流出用小孔が形成されており、前記ノズルの裾部は、その内壁が曲面状に形成されていると共に、ノズルの下端から前記第2原料ガスの流出用小孔を離隔させる長さ寸法を有して形成されていることを特徴とする薄膜気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/22 511
