特許
J-GLOBAL ID：200903025089272945
歪センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215821
公開番号（公開出願番号）：特開平6-058706
出願日： 1992年08月13日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 荷重、圧力などの物理変化量に対し、ひずみ変化により電気抵抗が変化する抵抗素子を用いた歪センサに関し、センサ特性のばらつきを解決し、高品質で耐久性に優れたひずみセンサを提供する。【構成】 金属基体1と、その金属基体の表面に形成された結晶化ガラス材料からなるガラス層2と、そのガラス層の表面に形成されたひずみの変化により電気抵抗が変化する抵抗素子4と、前記抵抗素子の変化を伝達する回路パターンからなるひずみセンサにおいて、前記抵抗素子を、その抵抗素子の必須構成成分を含むペースト材料を描画法、メタルマスク法、ドクターブレード法、オフセット印刷法で所定のパターンに形成し、その後焼成することにより構成する。【効果】 描画法、メタルマスク法、ドクターブレード法、オフセット印刷法などでは、抵抗体ペーストを直接基材上に形成するため、従来のようなスクリーンメッシュ跡が残存せず、抵抗値、ゲージ率、TCR特性等のセンサ特性ばらつきも小さい。
請求項（抜粋）：
金属基体と、その金属基体の表面に形成された結晶化ガラス材料からなるガラス層と、そのガラス層の表面に形成されたひずみの変化により電気抵抗が変化する抵抗素子と、前記抵抗素子の変化を伝達する回路パターンからなるひずみセンサにおいて、前記抵抗素子が、その抵抗素子の必須構成成分を含むペースト材料を描画法、メタルマスク法、ドクターブレード法、オフセット印刷法で所定のパターンに形成され、その後焼成したことを特徴とする歪センサ。
IPC (4件)：
G01B 7/18
, C01G 55/00
, G01G 3/14
, G01L 1/22
