半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-323817
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163124
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】シリコン-ゲルマニウム合金を含んでなる低抵抗のコンタクト・プラグにおいて、拡散層の接合リークの増大を抑制する。【解決手段】N型単結晶シリコン層155,高濃度のN型単結晶シリコン-ゲルマニウム合金層116を選択エピタキシャル成長法,選択ヘテロ・エピタキシャル成長法で形成し、N型単結晶シリコン層157を選択ヘテロ・エピタキシャル成長法で形成する。燐のイオン注入と熱処理とによりN型単結晶シリコン層155,157を高濃度のN型単結晶シリコン層115,117に変換する。

請求項（抜粋）：

主表面には逆導電型拡散層が設けられた一導電型のシリコン基板と、該シリコン基板の主表面を覆う絶縁膜と、該逆導電型拡散層に達する該絶縁膜に設けられたコンタクト孔とを有し、前記コンタクト孔を充填し,前記逆導電型拡散層に直接に接続される逆導電型の第1のシリコン層と該第1のシリコン層に直接に接続される逆導電型のシリコン-ゲルマニウム合金層と該シリコン-ゲルマニウム合金層に直接に接続される逆導電型の第2のシリコン層とからなるコンタクト・プラグを有し、前記コンタクト・プラグに直接に接続される前記絶縁膜の表面上に設けらてた配線を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 301 C , H01L 27/08 102 D , H01L 29/78 301 X

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