特許

J-GLOBAL ID：200903025097285029

冷陰極電子銃の製造方法

発明者： 太田 好紀
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-360994
公開番号（公開出願番号）：特開平6-203750
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】この発明は、マイクロエミッタから電子を引き出すためのゲート電圧を低減できることを主要な目的とする。【構成】半導体基板(11)に先端の鋭利なマイクロエミッタ(16)を形成する工程と、前記マイクロエミッタ表面に絶縁膜(17)を形成する工程と、前記マイクロエミッタの高さよりも厚い導電体(18)を前記絶縁膜上に形成する工程と、前記導電体の表面を平坦化する工程と、前記導電体上にマスク(19)を形成する工程と、前記マスクを用いて前記導電体を選択的に除去しゲート電極(20)を形成する工程と、前記マスクを用いて前記絶縁膜を選択的に除去し前記マイクロエミッタを露出させる工程とを具備することを特徴とする冷陰極電子銃の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板に先端の鋭利なマイクロエミッタを形成する工程と、前記マイクロエミッタ表面に絶縁膜を形成する工程と、前記マイクロエミッタの高さよりも厚い導電体を前記絶縁膜上に形成する工程と、前記導電体の表面を平坦化する工程と、前記導電体上にマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて前記導電体を選択的に除去しゲート電極を形成する工程と、前記マスクを用いて前記絶縁膜を選択的に除去し前記マイクロエミッタを露出させる工程とを具備することを特徴とする冷陰極電子銃の製造方法。