特許

J-GLOBAL ID：200903025099671309

半導体装置およびその製造方法

発明者： 高橋 健司 ,  勝又 章夫 ,  佐藤 哲也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-296927
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139441
出願日： 1995年11月15日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】パッケ-ジの面積に対して収納可能な半導体素子6の面積を大きくし、半導体素子6の表面上の電極を自由に配置する。【解決手段】表面に電極を有する半導体素子6と、裏面に半導体素子6を収容する凹部を有しこの凹部と表面との間に形成された貫通穴を有する絶縁基板1と、絶縁基板1の表面上に形成され開口部を有する絶縁基板2とを具備し、半導体素子6の表面が絶縁基板1の凹部の底面に接着され、絶縁基板1は凹部と反対側の表面に複数の金属導体層3を備え、半導体素子6の表面に設けられた電極は貫通穴を通る導線8により金属導体層3に接続され、絶縁基板1、2の外側面に形成された外部端子4は金属導体層3に接続され、絶縁基板1の裏面および絶縁基板2の表面に形成された上下端子5は外部端子4に接続され、半導体素子6と導線8と金属導体層3とは樹脂封止され、貫通穴は電極上を開口して形成される。

請求項（抜粋）：

表面に電極を有する半導体素子と、裏面に前記半導体素子を収容する凹部を有しこの凹部と表面との間に形成された貫通穴を有する第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板表面上に形成され前記貫通穴より大きい開口部を有する第2の絶縁基板とを具備し、前記半導体素子はその表面が前記第1の絶縁基板の凹部の底面に接着され、前記貫通穴は前記半導体素子の表面上の電極上を開口するように形成され、前記第1の絶縁基板は凹部と反対側の表面に複数の金属導体層を備え、前記半導体素子の表面に設けられた電極は前記貫通穴を通る導線により前記第1の絶縁基板表面の金属導体層に接続され、前記第1および第2の絶縁基板の外側面に形成された外部端子はそれぞれ前記金属導体層に接続され、前記第1の絶縁基板の裏面に形成された下部端子と前記第2の絶縁基板の表面に形成された上部端子とはそれぞれ前記外部端子に接続され、前記半導体素子と前記導線と前記金属導体層とは封止樹脂により被覆されていることを特徴とする半導体装置。