特許

J-GLOBAL ID：200903025099713028

半導体チップ、シリコンウェハ、及び、半導体チップの製造方法

発明者： 小杉 龍一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-178533
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373869
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】 ダイシングによる金属配線の変形の少ない半導体チップを提供する。【解決手段】 本発明の半導体チップは、ストリートに金属配線を有するシリコンウェハをダイシングして得られる半導体チップであって、半導体チップの周囲に残るストリートに、ダイサによる変形を抑える補強材により補強された金属配線の残留物を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ストリートに金属配線を有するシリコンウェハをダイシングして得られる半導体チップであって、半導体チップの周囲に残るストリートに、ダイサによる変形を抑える補強材により補強された金属配線の残留物を備えることを特徴とする半導体チップ。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/66 E ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/88 S

Fターム (22件)：

4M106AA01 ,  4M106AA20 ,  4M106AB01 ,  4M106AB12 ,  4M106AD02 ,  4M106AD03 ,  4M106AD04 ,  4M106AD09 ,  4M106AD10 ,  4M106BA01 ,  4M106CA70 ,  5F033JJ01 ,  5F033MM20 ,  5F033NN01 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX19 ,  5F033XX31 ,  5F033XX37