酸化物単結晶薄膜形成方法および半導体薄膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：谷義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-213181
公開番号（公開出願番号）：特開2004-051446
出願日： 2002年07月22日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】平滑で膜厚均一性が高く結晶性の良好な酸化物単結晶薄膜および半導体薄膜の形成方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板10の表面に保護酸化膜11を形成し、この保護酸化膜11の上に金属アルミ層12を堆積させる。金属アルミ層12堆積後に真空中で加熱することにより、金属アルミ層12と保護酸化膜11とを反応させて単結晶の酸化物薄膜であるアルミナ予備層13を形成する。このアルミナ予備層13の上にさらにγ-Al2O3層14をホモエピタキシャルに成長させてγ-Al2O3の厚みを所望の値に設定する。さらに、アルミナ予備層13形成後またはγ-Al2O3層14形成後に800°C以上1400°C以下の温度範囲の酸化雰囲気中で加熱処理してアルミナ層の表面平坦性を高める。このようにして得られた絶縁性酸化物単結晶薄膜上にシリコンあるいは化合物半導体の半導体薄膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に酸化物単結晶薄膜を形成するための方法であって、前記シリコン基板上にシリコン酸化物層を堆積する第1のステップと、当該シリコン酸化物層上に金属Al層を堆積する第2のステップと、前記シリコン酸化物層と前記金属Al層とを熱処理により反応させて第1の酸化物単結晶層を形成する第3のステップと、当該酸化物単結晶層を酸化雰囲気中で熱処理する第4のステップとを備えることを特徴とする酸化物単結晶薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

C30B29/20 , C30B29/38 , C30B33/02 , H01L21/205

FI (4件)：

C30B29/20 , C30B29/38 D , C30B33/02 , H01L21/205

Fターム (22件)：

4G077AA03 , 4G077BB01 , 4G077BE15 , 4G077CA03 , 4G077DA09 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077SC01 , 5F045AA05 , 5F045AB02 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AB11 , 5F045AB12 , 5F045AB13 , 5F045AB14 , 5F045AF03 , 5F045AF08 , 5F045BB12

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