特許

J-GLOBAL ID：200903025107250121

シリコン単結晶の熱処理方法

発明者： 岩崎 俊夫 ,  小島 清 ,  内藤 俊太 ,  中靜 恒夫
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-188540
公開番号（公開出願番号）：特開平7-041399
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、チョクラルスキー法(以下、CZ法)により製造されたシリコン単結晶を用いて、該シリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハを鏡面加工し、さらにアンモニア系洗浄を行った際に見られる0.07μm以上のエッチピットの発生を抑制するシリコン単結晶の熱処理方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明においては、先に1200〜1400°Cで高温熱処理した後、室温までの冷却過程において1100°C〜850°Cの温度域を0.1°C/分〜100°C/分の速度で冷却する。好ましくは1°C/分〜20°C/分の速度で冷却する。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法で製造されたシリコン単結晶を、先に1200〜1400°Cで高温熱処理した後、室温までの冷却過程において1100°C〜850°Cの温度域を0.1°C/分〜100°C/分の速度で冷却することを特徴とするシリコン単結晶の熱処理方法。

IPC (5件)：

C30B 33/02 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/324