特許

J-GLOBAL ID：200903025107659399

表面変位検出装置及び表面変位検出工程を備える半導体デバイスの製造方法

発明者： 加藤 正紀
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 宮川 貞二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-046169
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326745
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 平均表面変位を短時間で検出することができる表面変位検出装置を提供する。【解決手段】 図1に示すように、所定の基準面(XY平面)に対する被検面Wの変位を検出する表面変位検出装置において、被検面W上のN個(図1の例ではN=3)の検出箇所1〜3のうちの第1番目の検出箇所1に向けて光を照射する照射光学系11〜14と、照射光学系11〜14からの光が前記N個の検出箇所1〜3の全てを経由するように、第1番目の検出箇所1で反射した光に基づき、被検面WのN-1個の検出箇所2、3を再照射する再照射光学系15〜22とを有し、被検面W上の第N番目の最終検出箇所3から反射した光を受光面上に集光する検出光学系23〜25と、前記受光面での受光光の変位を光電的に検出する光電検出部26〜28とを有する表面変位検出装置。照射光学系からの光がN個の検出箇所全ての変位に関する情報を前記光に含ませることができ、その光を検出光学系により受光面に集光し、光電検出部により受光光の変位を光電的に検出することができる。

請求項（抜粋）：

所定の基準面に対する被検面の変位を検出する表面変位検出装置において;被検面上のN個(但し、Nは2以上の整数)の検出箇所のうちの第1番目の検出箇所に向けて光を照射する照射光学系と;前記照射光学系からの光が前記N個の検出箇所の全てを経由するように、前記第1番目の検出箇所で反射した光に基づき、前記被検面のN-1個の検出箇所を再照射する再照射光学系とを有し;前記被検面上の第N番目の最終検出箇所から反射した光を受光面上に集光する検出光学系と;前記受光面での受光光の変位を光電的に検出する光電検出部とを有することを特徴とする;表面変位検出装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G01B 11/00 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/30 526 B ,  G01B 11/00 B ,  G01B 11/00 E ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/68 F