特許
J-GLOBAL ID：200903025113584147
バンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-204254
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047768
出願日： 1991年08月14日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 メッキレジストを用いることなく、アルミニウム配線上に選択的にバンプを形成することができ、マッシュルームでもストレートウォームでもない形の整ったバンプを形成すること。【構成】 アルミニウム配線層12が形成された配線基板11に対し、ニッケルバンプ15を選択的に形成するバンプ形成方法において、アルミニウム配線層12上のバンプ形成領域にクロム層13を介して金層14を形成したのち、無電解メッキ法により金層14を中心とした部位にニッケルメッキを施して、該領域のみにニッケルバンプ15を形成する。
請求項（抜粋）：
アルミニウム配線層が形成された配線基板に対し、該基板の配線層上のバンプ形成領域にクロム層を介して金層を形成する工程と、無電解メッキ法により前記金層を中心とした部位にニッケル層を選択的に形成する工程とを含むことを特徴とするバンプ形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 D
, H01L 21/92 F
