薄膜形成装置のスパッタリング制御装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337949
公開番号（公開出願番号）：特開平8-319564
出願日： 1989年01月11日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】半導体基板のイオン衝突による損傷程度の低減、及びターゲットのスパッタ速度の促進のいずれも精度良く行うことが可能なスパッタリング制御装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、減圧されたチャンバ内に第1の電極と第2の電極とを対向配置し、前記第1の電極に第1の高周波電源を接続すると共に、前記第2の電極に第2の高周波電源を接続し、前記第1の電極上に取り付けられた基体上に、前記第2の電極上に取り付けられたターゲットの材料をスパッタリングにより堆積させるように構成された薄膜形成装置において、前記第2の高周波電源からの出力周波数のみに共振する第1の共振回路を前記第1の電極に接続し、前記第1の高周波電源からの出力周波数のみに共振する第2の共振回路を前記第2の電極に接続したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

減圧されたチャンバ内に第1の電極と第2の電極とを対向配置し、前記第1の電極に第1の高周波電源を接続すると共に、前記第2の電極に第2の高周波電源を接続し、前記第1の電極上に取り付けられた基体上に、前記第2の電極上に取り付けられたターゲットの材料をスパッタリングにより堆積させるように構成された薄膜形成装置において、前記第2の高周波電源からの出力周波数のみに共振する第1の共振回路を前記第1の電極に接続し、前記第1の高周波電源からの出力周波数のみに共振する第2の共振回路を前記第2の電極に接続したことを特徴とする薄膜形成装置のスパッタリング制御装置。

IPC (6件)：

C23C 14/34 , C23C 14/40 , C23C 14/54 , C23C 14/56 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (6件)：

C23C 14/34 U , C23C 14/40 , C23C 14/54 B , C23C 14/56 H , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭58-077574
特開昭56-108875
特開昭60-063367

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