特許

J-GLOBAL ID：200903025117157308

静電的放電に対する保護構造

発明者： アトス・カンクリーニ
出願人/特許権者： エッセヂエッセ-トムソン マイクロエレクトロニクスエッセ・エッレ・エッレ
代理人 (1件)： 森 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270983
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308124
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】 静電的放電は集積回路を損傷しやすい。これを防止するための保護構造に含まれるツェナーダイオードの固有の欠点は、放電電流が回路の一部に集中しやすいことである。本発明の目的は、静電的放電に対して保護するための保護構造を提供することである。【構成】 エピタキシャル層中に集積された縦型のバイポーラトランジスタとツェナーダイオードを含み、該縦型トランジスタのエミッタ領域は、該トランジスタのベース領域と同じタイプの導電性の環状拡散部により構成されかつ前記ベース領域より高いドーピングレベルを有する環状領域により囲まれている。環状領域は、ツェナー接合のアバランシェ電流を遮り、かつこの電流をトランジスタのベースに均一に供給して該トランジスタの接地されたエミッタ領域を通して危険な電流集中を効果的に防止する。

請求項（抜粋）：

第1のタイプの導電性の単一のエピタキシャル領域中に形成され、その底部が該1のタイプの導電性の埋設層によりかつ横方向が第2のタイプの導電性の分離領域により限定され、かつピンに機能的に接続された集積回路を静電的放電から保護するための集積保護構造において、該保護構造が、ピンに電気的に接続されかつ第1のタイプの導電性の深い拡散コンタクト領域を通して埋設層に結合され、かつツェナーダイオードの第1のターミナル及び縦型バイポーラトランジスタのコレクタ領域を構成する第1のタイプの導電性の第1の領域、前記エピタキシャル領域中に含まれかつツェナーダイオードの第2のターミナル及び縦型トランジスタのベース領域を構成する第2のタイプの導電性のウェル領域、該ウェル領域内に形成されかつ接地されかつ縦型トランジスタのエミッタ領域を構成する第1のタイプの導電性の第2の領域、及び前記ウェル領域中に形成されウェル領域のドーピングレベルより高いドーピングレベルを有し、前記第2の領域を囲み、ピンへの静電的放電の間にツェナーダイオードのアバランシェ電流を妨げ該アバランシェ電流を縦型トランジスタのベース領域へ分散させるようにした第2のタイプの導電性の環状領域、を含んで成る集積保護構造。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/90

FI (2件)：

H01L 27/06 311 C ,  H01L 29/72