半導体装置およびメモリシステム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278666
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093158
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】待機時の貫通電流を減少させ、高集積かつ低電力なメモリを提供する。【解決手段】入力データDIをデータエンコーダLWCによりエンコードしてライトデータGIとし、リードデータGOをデータデコーダLWDによりデコードして出力データDOとする。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを有する半導体装置において、上記複数のメモリセルの各々は、待機時に保持しているデータに応じて、第1の状態と、上記メモリセルの貫通電流が上記第1の状態よりも大きい第2の状態とをとり、上記複数のメモリセル中で、上記第1の状態であるメモリセルの個数が上記第2の状態であるメモリセルの個数よりも多くなるように制御することを特徴とする半導体装置。

Fターム (6件)：

5B015HH04 , 5B015JJ04 , 5B015JJ37 , 5B015KA13 , 5B015KB36 , 5B015QQ08

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