特許

J-GLOBAL ID：200903025122409960

検出方法及び検出装置及び研摩装置

発明者： 潮 嘉次郎
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-250071
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077371
出願日： 1998年09月03日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハ上の薄膜の除去工程において、その工程終了点または除去膜厚を光学的方式により検出する際、ウェハ面にデバイスパターンが存在する場合は充分な精度で検出することが出来なかった。この問題を解決しどのようなデバイスパターンでも検出精度が高く、簡便に膜厚または工程終了点を検出する方法を提供することである。【解決手段】プローブ光を半導体ウェハ上に照射して得られる反射光または透過光の分光波形の最大極大反射率と最小極小反射率との差または最小極小値または最小極小値と最大極大値との比を利用して、半導体ウェハ面の測定位置の特定または探索を行い、特定位置でモニターすることにより正確な膜厚または工程終了点の検出が可能となった。

請求項（抜粋）：

基板表面の、薄膜の除去工程において、前記基板表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光または透過光の信号波形により前記除去工程における膜厚または工程終了点の一方または両方を検出する方法であって、前記信号波形から求められたパラメータを利用して、前記基板表面の測定位置の特定を行う段階を有することを特徴とする検出方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  G01B 11/06

FI (3件)：

H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/00 K ,  G01B 11/06 Z

Fターム (23件)：

2F065AA30 ,  2F065BB17 ,  2F065CC19 ,  2F065DD03 ,  2F065DD06 ,  2F065FF46 ,  2F065GG12 ,  2F065GG24 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ15 ,  2F065LL46 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ29 ,  2F065QQ41 ,  2F065RR09 ,  3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA09 ,  3C058BB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17