特許

J-GLOBAL ID：200903025122621608

半導体レーザ装置

発明者： 篠原 しのぶ
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141973
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335737
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】半導体基板の種類や発光素子の構造によらず、またレーザ光が減衰することなくレーザ出力のモニターが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】N型半導体基板1の第1の表面には、下部分布ブラッグ反射器2と、N型半導体クラッド層3と、活性層4と、P型半導体クラッド層5と、上部分布ブラッグ反射器6と、P型表面電極10とが順に形成されている。さらに、N型半導体基板1の第2の表面には、N型半導体基板1と逆の極性を有する不純物のP型拡散領域11が形成され、このP型拡散領域11上にはP型裏面電極12が、拡散領域外のN型半導体基板1の第2の表面上にはN型裏面電極13が形成されている。さらに、上部分布ブラッグ反射器6側をレーザ光の出射面とするとともに、N型半導体基板1と、このN型半導体基板1の第2の表面に関して形成されたP型拡散領域11との界面を、レーザ光をモニターするための受光部とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板の第1の表面上に形成された下部半導体ミラー層と、この下部半導体ミラー層上に形成された下部半導体クラッド層と、この下部半導体クラッド層上に形成された活性層と、この活性層上に形成された上部半導体クラッド層と、この上部半導体クラッド層上に形成された上部半導体ミラー層と、この上部半導体ミラー層上に形成された第1の電極と、前記半導体基板の第2の表面に関して形成され、前記半導体基板と逆の導電型を有する不純物の拡散領域と、この拡散領域上に形成された第2の電極と、前記半導体基板の拡散領域外における前記第2の表面上に形成された第3の電極と、を具備し、前記上部半導体ミラー層側をレーザ光の出射面とするとともに、前記半導体基板と、この半導体基板の第2の表面に関して形成された拡散領域との界面を、レーザ光をモニターするための受光部としたことを特徴とする半導体レーザ装置。