特許
J-GLOBAL ID：200903025132217813
歪量子井戸半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-279739
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135370
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 Alを含む混晶やInAsP混晶と用いて歪量子井戸を作製することで高光出力特性を実現した歪量子井戸半導体レーザを提供する。【構成】 半導体単結晶基板1上に第1の光導波路層2と歪井戸層3とバリア層4よりなる多重量子井戸5と第2の光導波路層6を成長する。歪井戸層としてAlInGaAsP混晶やInAsP混晶をもちいることによりオーダリングによる歪の緩和を抑制すると共に導伝帯のバンド不連続を増大させて高光出力を実現する。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶基板と、前記基板上に積層した第1の光導波路層と、歪量子井戸層と、第2の光導波路層を含み、前記歪量子井戸層を構成する井戸層にAlを含む混晶を用いることを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ。
IPC (2件)：
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