特許

J-GLOBAL ID：200903025133216616

半導体装置

発明者： 片山 秀昭
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061353
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226503
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置を小型化することを目的とする。【構成】 櫛形のゲートワイヤボンディング部9を形成し、かつその歯と歯の間にソースワイヤボンディング部15を配置形成し、そこへワイヤボンド14,13を行う。またソースワイヤボンディング部15とソース電極1間を絶縁体ブロック8に設けたスルーホール16で接続するようにする。

請求項（抜粋）：

ソース電極として機能するヒートシンク材上に、その表面にそれぞれゲート電極,ドレイン電極が形成される第1,第2の絶縁体ブロックが相対向して配置され、該ブロック間の上記ヒートシンク材上に半導体チップが載置されてなる半導体装置において、上記第1の絶縁体ブロック上に櫛形のゲートワイヤボンディング部が形成され、該櫛形のゲートワイヤボンディング部の歯と歯の間に位置して、ソースワイヤボンディング部が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 W ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 27/06 F