特許

J-GLOBAL ID：200903025144203370

半導体製造方法

発明者： シュテフェン シュルツェ ,  フランツ ツァッハ
出願人/特許権者： インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-132555
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353660
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 ウェハエッジ問題を有する従来方式の欠点に鑑み、これを解消すべく改善を行うこと。【解決手段】 円形の半導体ウェハ上に方形をプリントする、ステップアンドリピートプリント方法において、レチクルの調整をおこない、前記レチクルは、プリントされる、それぞれが方形のフィールド露光エリアを制御するために使用され、前記制御は余分の非機能露光フィールドエリアを方形の正規の機能フィールドエリアに選択的に付加するためにおこない、前記付加はウェハのエッジに近接して露光された方形においておこない、それにより後続のプロセスステップにおいて不均一効果が改善されたエリアがあるようにする。

請求項（抜粋）：

円形の半導体ウェハ上に方形をプリントする、ステップアンドリピートプリント方法において、レチクルを調整するステップが設けられており、前記レチクルは、プリントされる、それぞれが方形のフィールド露光エリアを制御するために使用され、前記制御は余分の非機能露光フィールドエリアを方形の正規の機能フィールドエリアに選択的に付加するためにおこない、前記付加はウェハのエッジに近接して露光された方形においておこない、それにより後続のプロセスステップにおいて不均一効果が改善されたエリアを生じさせる、ことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/22

FI (3件)：

H01L 21/30 514 B ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/22 H