特許
J-GLOBAL ID：200903025146050890
リッジ型半導体光素子及びその作製方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-222612
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051146
出願日： 1995年08月08日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 光の閉じ込めの強さと電流の閉じ込めの強さとを独立に設定できるリッジ型半導体光素子を提供する。【解決手段】 本リッジ型半導体光素子30は、n型InP基板32上に順次形成されたn型InP下部クラッド層34、n型InGaAsP下部導波層36(λ=1.15μm)、ノンドープ多重量子井戸構造の活性層38、及びp型InGaAsP上部導波層40(λ=1.15μm)と、上部導波層40上に形成されたp型InP上部クラッド層42及びその上のp型InGaAsコンタクト層44からなるリッジ部46と、上部導波層40上及びリッジ部の両側面に第1の埋め込み層として再成長させた半絶縁性InP層48と、半絶縁性InP層48上に第2の埋め込み層として形成されたポリイミド層50と、上下に設けられたp側電極52及びn側電極54とで形成されている。
請求項（抜粋）：
埋め込みリッジ部を有するリッジ型半導体光素子において、活性層上に形成されたリッジ部の最下層を構成する第1の上部クラッド層部と、リッジ部以外の領域の活性層上に第1の上部クラッド層部より薄い膜厚で形成された第2の上部クラッド層部とからなる上部クラッド層と、上面を除くリッジ部の両側面上及び第2の上部クラッド層部上の双方に形成され、半絶縁性化合物半導体層、又は上部クラッド層と組成が同じで導電型が異なる化合物半導体層のいずれかからなる第1の埋め込み層と、第1の埋め込み層上にリッジ部を埋め込むように形成された電気絶縁性の第2の埋め込み層とを備えることを特徴とするリッジ型半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
