特許

J-GLOBAL ID：200903025146065234

半導体レーザ及び光集積デバイス並びにその製造方法

発明者： 後藤 勝彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-133087
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335977
出願日： 1994年06月15日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】変調器領域とLD領域の境界などのような境界領域における多重量子井戸層のバンドギャップが急峻に変化するようにして、消光比の低下、挿入損失の増大などの劣化を抑制するとともに、バンドギャップの変化△Egを大きくして種々の光集積デバイスに対応でき、さらに、いわゆるチャープト回折格子あるいはピッチ変調回折格子を備えた光集積デバイスが容易に得られる構造およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】リッジ幅および/またはリッジ間隔が導波路方向に沿って変化するリッジ31が予め形成された基板上1に多重量子井戸層4を結晶成長させ、バンドギャップLD領域と変調器領域(分離領域)で急峻に変化する導波路を形成する。

請求項（抜粋）：

リッジ幅および/またはリッジ間隔が導波路方向に沿って変化するリッジが予め形成された基板上に多重量子井戸層を結晶成長させることによって、上記リッジ幅および/またはリッジ間隔にしたがって上記多重量子井戸層の組成および/または層厚を変化させ、バンドギャップが変化する導波路を形成したことを特徴とする半導体レーザまたは光集積デバイス。