特許

J-GLOBAL ID：200903025147764993

半導体装置製造方法

発明者： 宮川 康陽
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 小岩井 雅行 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205658
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040691
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体の微細化・高アスペクト比化に対応した、窒化シリコン膜をストッパーとして自己整合的に酸化シリコン膜をエッチングし、コンタクトホールの開口などを行う技術を提供する。【解決手段】 窒化シリコン膜をストッパーとして酸化シリコン膜をエッチングするエッチング工程を含む半導体装置製造方法において、前記エッチング工程の前に前記窒化シリコン膜に、炭素、並びに、フッ素および酸素に対する反応性が炭素と同等である原子からなる群から選ばれる1種以上の原子をイオン注入法により注入し、前記エッチングにおける窒化シリコンに対する酸化シリコンの選択比を増大させる。

請求項（抜粋）：

窒化シリコン膜をストッパーとして酸化シリコン膜をエッチングするエッチング工程を含む半導体装置製造方法において、前記エッチング工程の前に前記窒化シリコン膜に、炭素、並びに、フッ素および酸素に対する反応性が炭素と同等である原子からなる群から選ばれる1種以上の原子をイオン注入法により注入し、前記エッチングにおける窒化シリコンに対する酸化シリコンの選択比を増大させることを特徴とする製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 M ,  H01L 21/265 W ,  H01L 27/10 681 B

Fターム (44件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104FF21 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  5F004AA03 ,  5F004BA13 ,  5F004BB25 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EA33 ,  5F004EB01 ,  5F004FA02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA32 ,  5F083KA05 ,  5F083MA03 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR09 ,  5F083PR29 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40