バイアス回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-299135
公開番号（公開出願番号）：特開2003-108246
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は差動増幅器等のような接地方式が同じ2つの増幅器の出力DC(直流)レベルの変動を抑制するバイアス回路を提供することを目的とする。【解決手段】接地方式が同じ第1及び第2の増幅手段(120-1,120-2)のバイアスレベルを調整するバイアス回路であって、前記第1の増幅手段の出力直流レベルを検知する第1の直流レベル検知手段(140-1)と、前記第2の増幅手段の出力直流レベルを検知する第2の直流レベル検知手段(140-2)と、前記第1及び第2の増幅手段の出力直流レベルの差を比較するレベル比較手段(150)と、前記レベル比較手段からの出力結果を元に、前記レベル差を減少させる前記第1の増幅手段用のバイアス及び前記第2の増幅手段用のバイアスを発生させるバイアス発生手段(160-1、160-2)と、を備えるバイアス回路。

請求項（抜粋）：

接地方式が同じ第1及び第2の増幅手段のバイアスレベルを調整するバイアス回路であって、前記第1の増幅手段の出力直流レベルを検知する第1の直流レベル検知手段と、前記第2の増幅手段の出力直流レベルを検知する第2の直流レベル検知手段と、前記第1及び第2の増幅手段の出力直流レベルの差を比較するレベル比較手段と、前記レベル比較手段からの出力結果を元に、前記レベル差を減少させる前記第1の増幅手段用のバイアス及び前記第2の増幅手段用のバイアスを発生させるバイアス発生手段と、を備えるバイアス回路。

IPC (2件)：

G05F 3/24 , H03F 3/45

FI (2件)：

G05F 3/24 B , H03F 3/45 Z

Fターム (55件)：

5H420NA17 , 5H420NB03 , 5H420NB26 , 5H420NB31 , 5H420NC03 , 5J066AA01 , 5J066AA12 , 5J066AA58 , 5J066CA11 , 5J066FA10 , 5J066HA08 , 5J066HA10 , 5J066HA17 , 5J066HA19 , 5J066HA25 , 5J066HA32 , 5J066HA33 , 5J066HA44 , 5J066KA00 , 5J066KA02 , 5J066KA05 , 5J066KA09 , 5J066KA12 , 5J066MA21 , 5J066ND01 , 5J066ND11 , 5J066ND22 , 5J066PD02 , 5J066SA13 , 5J066TA01 , 5J500AA01 , 5J500AA12 , 5J500AA58 , 5J500AC11 , 5J500AF10 , 5J500AH08 , 5J500AH10 , 5J500AH17 , 5J500AH19 , 5J500AH25 , 5J500AH32 , 5J500AH33 , 5J500AH44 , 5J500AK00 , 5J500AK02 , 5J500AK05 , 5J500AK09 , 5J500AK12 , 5J500AM21 , 5J500AS13 , 5J500AT01 , 5J500DN01 , 5J500DN11 , 5J500DN22 , 5J500DP02

引用特許：

審査官引用 (3件)

差動増幅装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-139202 出願人：三洋電機株式会社
特開昭58-141010
特開昭59-147508

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