特許
J-GLOBAL ID:200903025162013066

セラミック基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-347655
公開番号(公開出願番号):特開平7-187867
出願日: 1993年12月24日
公開日(公表日): 1995年07月25日
要約:
【要約】【目的】セラミック基板上に、薄膜コンデンサを形成する場合に適した下部電極を有するセラミック基板を提供すること。さらには、高い歩留りを持つコンデンサを得るために必要な下部電極の厚みを有するセラミック基板を得ること。【構成】薄膜コンデンサを形成するセラミック基板上に、メッキ処理により薄膜コンデンサ用下部電極を形成する。更にコンデンサの歩留りを向上させるためには、このメッキ処理により形成された薄膜コンデンサ用下部電極の厚みY(μm)を、セラミック基板の薄膜コンデンサ形成面に存在する空孔の最大ポア径X(μm)と、Y≧1.1√Xの関係を有するようにする。
請求項(抜粋):
セラミック基板上にメッキ処理により形成された薄膜コンデンサ用下部電極を有することを特徴とするセラミック基板。
IPC (4件):
C04B 41/88 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 424 ,  H01G 4/012
FI (2件):
H01G 4/06 102 ,  H01G 1/015
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 特開平4-202672
  • 特開平1-261288
  • 特開平3-016110
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審査官引用 (6件)
  • 特開平4-202672
  • 特開平4-202672
  • 特開平1-261288
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