接続孔埋め込み形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136988
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335330
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】アルミニウム等の電極材料に対し、バリア特性を有して、しかも埋め込み特性が良好な、接続孔埋め込み形成方法を提供する。【構成】シリコン基板1の上方全面に形成された層間絶縁膜をパターニングして形成した接続孔15に配線材料を埋め込む、接続孔埋め込み形成方法であって、上記層間絶縁膜をパターニングして接続孔15を形成した後に、上記接続孔15にシリサイドを形成するための金属を、上記シリコン基板1と上記シリサイドを形成するための金属とが反応する温度で堆積する工程を含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の上方全面に形成された層間絶縁膜をパターニングして形成した接続孔に配線材料を埋め込む、接続孔埋め込み形成方法であって、前記層間絶縁膜をパターニングして接続孔を形成した後に、前記接続孔にシリサイドを形成するための金属を、前記シリコン基板と前記シリサイドを形成するための金属とが反応する温度で堆積する工程を含むことを特徴とする接続孔埋め込み形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/88 R

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