特許
J-GLOBAL ID：200903025170846336
半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-250956
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082718
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 ダイボンド領域が小さく外観検査も容易な半導体素子を実現する。【解決手段】 ベアチップの長手方向に直交する方向の両側に2枚のSiチップを配置しサブキャリアに固定してベアチップとSiチップとの間をワイヤボンディングする半導体素子において、ベアチップ上の長手方向に形成されたパッドのうち両端のパッドに対向するSiチップ上のパッドから近接するSiチップの一端までの距離にベアチップ上のパッドのピッチを加算した長さをSiチップの他端から近接して形成されるパッドまでの距離とする。
請求項（抜粋）：
ベアチップの長手方向に直交する方向の両側に2枚のSiチップを配置しサブキャリアに固定して前記ベアチップと前記Siチップとの間をワイヤボンディングする半導体素子において、前記ベアチップ上の長手方向に形成されたパッドのうち両端のパッドに対向する前記Siチップ上のパッドから近接する前記Siチップの一端までの距離に前記ベアチップ上のパッドのピッチを加算した長さを前記Siチップの他端から近接して形成されるパッドまでの距離とすることを特徴とする半導体素子。
Fターム (2件)：
引用特許：
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