特許
J-GLOBAL ID：200903025172628972
半導体基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-215785
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065128
出願日： 1996年08月15日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 高耐圧パワーICに適した半導体基板及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 半導体基板1上に形成された第1の絶縁体層5と、半導体層3上に形成された第2の絶縁体層7とを張り合わせた構造を有し、半導体層3上に素子を形成する半導体基板において、第2の絶縁体層7の表面にはフッ化アンモニウム溶液等によるウエットエッチングに対するエッチングレートが第2の絶縁体層7と比べて小さい低エッチングレート層7Aが形成されるように構成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の絶縁体層と、半導体層上に形成された第2の絶縁体層とを張り合わせた構造を有し、前記半導体層上に素子を形成する半導体基板において、前記第2の絶縁体層の表面にはフッ化アンモニウム溶液等によるウエットエッチングに対するエッチングレートが前記第2の絶縁体層と比べて小さい低エッチングレート層が形成されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
