特許
J-GLOBAL ID：200903025179160755
欠陥救済方法、及び欠陥救済システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-292083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120456
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 マスタスライス形式のウェーハに含まれるパターン欠陥のある半導体集積回路チップ領域を、チップ歩留りを向上させるように利用可能にする。【構成】 ウェーハに含まれる各半導体集積回路チップ領域のパターン欠陥の情報D1を予め取得し、そのウェーハを利用して所望の半導体集積回路を得るとき、必要な品種や個数のデータD3に応じて、どの品種をどのウェーハのどの半導体集積回路チップ領域に割当てるかを決定する。このとき、その検査結果データD1を利用して、パターン欠陥の存在する半導体集積回路チップ領域に対しては、パターン欠陥基本セルを使用しない品種に割当てるという手法を採用する。
請求項（抜粋）：
複数個の基本回路が予め形成され、基本回路間の配線が決定されることによって所望の機能が実現される半導体集積回路チップ領域を複数個有して成るウェーハに対し、それに含まれる各半導体集積回路チップ領域のパターン欠陥を検査し、該ウェーハの識別情報及びパターン欠陥のある欠陥基本回路の識別情報を含む検査結果データを取得するステップと、ウェーハに対する配線工程のために、前記検査結果データに基づき、パターン欠陥の存在する半導体集積回路チップ領域に対しては、パターン欠陥基本回路を使用しない品種の半導体集積回路の基本回路間配線パターンを割当てるステップと、を含むことを特徴とする欠陥救済方法。
IPC (3件)：
H01L 27/118
, H01L 21/82
, H01L 27/04
H01L 21/82 M
, H01L 21/82 R
