特許
J-GLOBAL ID：200903025188640220
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-000856
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201805
出願日： 1994年01月10日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、半導体ウエハの裏面を化学エッチングするに際し、表面に於ける保護膜の収縮を抑え、エッチング液の滲み込みを防止して、デバイスが損傷されないようにする。【構成】 表面側に例えばトランジスタなどが作り込まれ且つ所要厚さとなるよう裏面側を研削された半導体ウエハ5の表面側を例えばゴム系のテープなどの保護膜で覆い、半導体ウエハ5に於ける表面側を下にして回転自在のウエハ固定台1に取付け、ウエハ固定台1を高速回転させつつ上になっている半導体ウエハ5の裏面側に例えば半導体ウエハ5がSi系の場合にはフッ化水素酸系エッチング液を噴射すると共に表面側にエッチング反応に不活性な冷却用流体である例えば純水或いは窒素ガスを噴射させ研削に依るストレスを解消する為の化学エッチングを行う。
請求項（抜粋）：
表面側にデバイスが作り込まれ且つ所要厚さとなるよう裏面側を研削された半導体ウエハの表面側を保護膜で覆う工程と、次いで、前記半導体ウエハに於ける表面側を下にして回転自在のウエハ固定台に取付ける工程と、次いで、前記ウエハ固定台を高速回転させつつ上になっている前記半導体ウエハの裏面側にエッチング液を噴射すると共に表面側にエッチング反応に不活性な冷却用流体を噴射させ研削に依るストレスを解消する為の化学エッチングを行う工程とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 331
H01L 21/306 R
, H01L 21/306 M
