特許

J-GLOBAL ID：200903025191593071

薄膜コンデンサ

発明者： 原 亨
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-022386
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224033
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】 薄膜誘電体層上に被着形成した上部電極層の欠陥による薄膜誘電体層の絶縁破壊を起こしにくい薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】支持基板1上に、下部電極層2、薄膜誘電体層3、上部電極層4を順次形成して成る薄膜コンデンサにおいて、前記上部電極層4の端辺形状が概略正弦波形状となっている。

請求項（抜粋）：

支持基板上に、下部電極層、薄膜誘電体層、上部電極層を順次形成して成る薄膜コンデンサにおいて、前記上部電極層の端辺形状が概略正弦波形状となっていることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/33 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C

Fターム (18件)：

5E082AB02 ,  5E082BB01 ,  5E082BC07 ,  5E082EE05 ,  5E082EE15 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG46 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038AC19 ,  5F038AC20 ,  5F038EZ20