特許

J-GLOBAL ID：200903025195132567

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタとその製造方法

発明者： 池田 成明
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-311234
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138228
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 ベース・コレクタ間の接合容量Cbcを低減させ、高速動作特性の向上を図った簡易な素子構造のヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 化合物半導体基板10上に形成されたコレクタ層14と、このコレクタ層よりも低誘電率のAlを含む半導体材料12からなり、前記コレクタ層の周囲に該コレクタ層を埋め込んで設けられて選択酸化されて形成される絶縁体19と、コレクタ層の上面を含む前記絶縁体上に形成されたベース層14と、このベース層よりも広いバンドギャップを有し、前記コレクタ層の上方にメサをなして形成されたエミッタ層17とを備え、ベース電極Bの直下領域を低誘電率の絶縁体とすることでベース・コレクタ間の接合容量Cbcを低減する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に形成されたコレクタ層と、このコレクタ層よりも低誘電率の材料からなり、前記コレクタ層の周囲に該コレクタ層を埋め込んで設けられ、選択酸化されて形成される絶縁体と、前記コレクタ層の上面を含む前記絶縁体上に形成されたベース層と、このベース層よりも広いバンドギャップを有し、前記コレクタ層の上方にメサをなして形成されたエミッタ層とを具備したことを特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205

Fターム (24件)：

5F003AP05 ,  5F003BA11 ,  5F003BA13 ,  5F003BA92 ,  5F003BB05 ,  5F003BC02 ,  5F003BC90 ,  5F003BE02 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BF90 ,  5F003BG10 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM03 ,  5F003BP11 ,  5F003BP12 ,  5F003BP32 ,  5F003BP33 ,  5F003BP41 ,  5F003BP48 ,  5F003BP94 ,  5F003BP95