特許

J-GLOBAL ID：200903025196075060

配線形成方法及び半導体装置、及びこれに用いることができるスパッタ方法及びスパッタ装置

発明者： 田口 充 ,  門村 新吾 ,  辰巳 哲也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193375
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045281
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 ?@コンタクト抵抗の上昇を伴わずにアルミニウムスパイクを防止する。?Aアスペクト比の大きい微細な接続孔も、これを良好に埋め込んで、配線構造を形成する。?B堆積速度速く、効率良くスパッタを行う。【構成】 ?@ 基体1上に形成した接続孔2にバリアメタル層3を形成し、接続孔にサイドウォール4を形成し、アルミニウム系材料5を成膜して配線を形成する。?A基体上に形成した接続孔にサイドウォールを形成し、超音波振動を付与しながらアルミニウム系材料を成膜して配線を形成する。?Bスパッタ技術において、高密度プラズマをスパッタチャンバの壁近傍に形成し、この部分にターゲットを設置する。

請求項（抜粋）：

基体上に形成した接続孔にバリアメタル層を形成し、その後該接続孔にサイドウォールを形成し、更にアルミニウム系材料を成膜して配線を形成することを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 14/35 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 F ,  H01L 21/88 N