特許

J-GLOBAL ID：200903025197020820

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松木 宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085785
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296682
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】強誘電体層を含む容量素子と、安定した電気的接続が確保できるコンタクト部とを含む、半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、第1電極層40、強誘電体層50、および第2電極層60を含む容量素子100と、第1プラグ導電層30およびコンタクト導電層110を含むコンタクト部200,300と、を含む。コンタクト導電層110は、第1プラグ導電層30の上方に設置され、かつ、第1コンタクト導電層40および第2コンタクト導電層60を含む。第1コンタクト導電層40の端面40aと、第2コンタクト導電層60の端面60aとが連続している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1電極層、強誘電体層、および第2電極層を含む容量素子と、 第1プラグ導電層およびコンタクト導電層を含むコンタクト部と、を含み、 前記コンタクト導電層は、前記第1プラグ導電層の上方に設置され、かつ、第1コンタクト導電層および第2コンタクト導電層を含み、 前記第1コンタクト導電層の端面と、前記第2コンタクト導電層の端面とが連続している、半導体装置。

IPC (1件)：

H01L27/105

FI (2件)：

H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444Z

Fターム (16件)：

5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR40