特許
J-GLOBAL ID：200903025199474586
スパッタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132338
公開番号（公開出願番号）：特開平5-320891
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：
【要約】【目的】 反応性スパッタリングにおいてプラズマ中の反応種の濃度の変動を低減することにより、堆積する膜中の反応粒子の濃度を均一にする。【構成】 ターゲット材1を介挿部材90の介在により分割結合型とし、ターゲット材1を分割する介挿部材90に設けられた複数の小穴にそれぞれガス導入管9を設け、既存のガス導入管6から真空槽5全体へ導入するガスとは独立してガス導入管9からのガス導入を制御するガス制御機構部10,11を設けて反応性スパッタリングを行う。これにより、反応種がプラズマ中で消費されてプラズマの中心に向けて濃度が低くなるという欠点を解消し、プラズマ中の反応種の濃度を均一にして半導体基板2上に堆積される膜中の反応粒子の濃度を均一化できるようにしている。
請求項（抜粋）：
真空槽内全体にガスを導入する第1のガス導入管を備えたスパッタリング装置において、前記真空槽内に配設されると共に、複数の小穴が設けられたターゲット材と、前記複数の小穴に接続された第2のガス導入管と、前記第1のガス導入管から導入するガス量と前記第2のガス導入管から導入するガス量とを独立して制御するガス制御機構部とを有することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C23C 14/54
, H01L 21/203
, H01L 21/31
