特許

J-GLOBAL ID：200903025202460400

誘電体薄膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： ユ・チャン・ゾン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289017
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246496
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 高誘電率の誘電体薄膜を提供するとともに、これを用いることにより漏洩電流を減少させることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明は、基板上に金属薄膜とペロブスキー石構造の酸化物を主成分とする誘電体薄膜とを積層させ、前記金属薄膜の金属成分を前記誘電体薄膜の結晶粒界に拡散させるように熱処理する段階とを含んでなる。

請求項（抜粋）：

基板上に金属薄膜とペロブスキー石構造の酸化物を主成分とする誘電体薄膜を積層し、前記金属薄膜の金属成分が前記誘電体薄膜の結晶粒界に拡散して酸化するように熱処理することを特徴とする誘電体薄膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/316 S ,  H01L 27/04 C