特許
J-GLOBAL ID：200903025210769003
ヘテロ接合半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030473
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244217
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 GaAs基板上に、InGaAsチャネル層とInGaPキャリア供給層およびスペーサ層からなるヘテロ接合を有する高電子移動度トランジスタ(HEMT)において、ヘテロ接合界面に発生する2次元電子ガスの移動度を高める。【構成】 ノンドープのInx Ga1-x Asからなるチャネル層3と、ノンドープのIn0.45Ga0.55Pを含むスペーサ層4,5と、n型のIn0.45Ga0.55Pからなるキャリア供給層6とを、GaAs基板1上に順次形成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ノンドープのInx Ga1-x Asからなるチャネル層と、ノンドープのIn0.45Ga0.55Pを含むスペーサ層と、n型のIn0.45Ga0.55Pからなるキャリア供給層とを、GaAs基板上に順次形成したことを特徴とするヘテロ接合半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
