特許
J-GLOBAL ID：200903025211340094
ITO焼結体、ITOターゲットおよびITO膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056372
公開番号（公開出願番号）：特開平6-247765
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月06日
要約：
【要約】【構成】 インジウム,錫および酸素を主成分としてなり、平均結晶粒径が2μm未満、さらには結晶粒径2μm未満の結晶が、結晶粒総数の80%以上存在するITO焼結体、ITOターゲットおよびITOターゲットを用いて形成されたITO膜である。【効果】 本発明は、低抵抗でかつ被成膜体上における膜抵抗分布および膜厚が一様のITO膜を得ることができ、しかもパーティクルの発生の少ないITO焼結体,ITOターゲットおよびそのITOターゲットを用いて形成されたITO膜を提供することができる。
請求項（抜粋）：
インジウム,錫および酸素を主成分としてなり、平均結晶粒径が2μm未満であることを特徴とするITO焼結体。
IPC (4件)：
C04B 35/00
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, H01B 5/14
