特許
J-GLOBAL ID:200903025212461260
電解めっき方法及び電解めっき装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
熊谷 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-299862
公開番号(公開出願番号):特開2000-129490
出願日: 1998年10月21日
公開日(公表日): 2000年05月09日
要約:
【要約】【課題】 下地としてのシード層の膜厚に依存することが少ない均一電着性の良いプロセス条件で初期めっき膜の形成を行い、均一な初期めっき膜形成後に、通常のめっき条件に戻して二次めっき膜を形成して穴埋めめっきを行う電解めっき方法及び電解めっき装置を提供すること。【解決手段】 表面に微細穴及び/微細溝が形成された被めっき基板上に電解めっきによりめっき膜を形成する電解めっき方法において、液温5°C乃至15°Cのめっき液中で初期めっき膜を形成し、その後液温25±2°Cのめっき液中で二次めっき膜を形成する。そのため、めっき処理槽10、めっき液循環槽20及びめっき液循環配管30を具備し、めっき液循環槽20からめっき処理槽10へのめっき液循環配管30途中にめっき液を冷却する冷却器22を配置すると共に、めっき処理槽10からめっき液循環槽20へのめっき液循環配管30の途中又はめっき液循環槽20内にめっき液を加熱する加熱器23を設けた。
請求項(抜粋):
表面に微細穴及び/微細溝が形成された被めっき基板上に電解めっきによりめっき膜を形成する電解めっき方法において、液温5乃至15°Cのめっき液中で初期めっき膜を形成し、その後液温25±2°Cのめっき液中で二次めっき膜を形成することを特徴とする電解めっき方法。
IPC (6件):
C25D 7/12
, C25D 3/38
, C25D 5/18
, C25D 17/00
, C25D 21/02
, H01L 21/288
FI (6件):
C25D 7/12
, C25D 3/38
, C25D 5/18
, C25D 17/00 C
, C25D 21/02
, H01L 21/288 E
Fターム (16件):
4K023AA19
, 4K023BA06
, 4K023CA01
, 4K023DA07
, 4K023DA08
, 4K024AA09
, 4K024AB01
, 4K024BB12
, 4K024CA04
, 4K024CA06
, 4K024CA07
, 4K024CB20
, 4K024CB26
, 4K024GA16
, 4M104BB04
, 4M104DD52
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