露光方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178046
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020913
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】ウエハ上に塗布されたフォトレジスト膜厚の変化にかかわらず、所望するフォトレジストパターン寸法を形成する。【構成】ウエハステージ23がフォトレジスト膜厚測定用パターン34を膜厚測定装置30が膜厚を測定できる位置に移動し、フォトレジスト22の膜厚を測定する。膜厚測定装置30より得られたフォトレジスト22の膜厚はマイクロコンピュータ32により、あらかじめ実験で得られている記憶装置31に記憶されているフォトレジスト膜厚とフォトレジストパターン寸法の関係と、露光量とフォトレジストパターン寸法の関係より所望するフォトレジストパターン寸法を形成するのに必要な露光量を求める。したがって、所望すフォトレジストパターン寸法が形成できる露光量で露光を行うことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に塗布されたレジストの膜厚を測定する工程と、あらかじめ求めたレジストパターンの特性と前記測定された膜厚とから適正な露光量を算出する工程と、前記露光量で露光する工程を有することを特徴とする露光方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03B 27/32 , G03B 27/72 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 L , H01L 21/30 361 F

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