特許

J-GLOBAL ID：200903025216597590

薄膜形成装置および方法

発明者： 中上 裕一 ,  宮澤 和利 ,  西原 宗和 ,  金谷 国通 ,  小西 良一 ,  清原 誠
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212073
公開番号（公開出願番号）：特開2002-030433
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 短絡の発生を速やかにかつ正確に検出できる薄膜形成装置および方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板2に接触する内マスク7の電位を測定する電位計9と、ターゲット1の裏面側で移動する磁気回路5の位置を検出する位置センサ6と、位置センサ6により磁気回路5が所定範囲の位置にあると示された時のみ電位計9の出力値を読み取り短絡の発生に相応する予め決めた閾値と比較し読み取った電位が閾値より低い時にエラー信号を出力する比較器10とを設ける。これにより、短絡をリアルタイムに検出できるとともに、磁気回路5の位置に起因する短絡の誤検出を回避できる。

請求項（抜粋）：

真空槽の内部に処理対象の基板とターゲットとを対向配置し、前記基板のターゲット対向面側に、アース電位から絶縁され前記基板の所定領域を囲むように基板に接触設置される内マスク部材と前記内マスク部材の外周縁部に絶縁材を介して結合されアース電位に接地される外マスク部材とからなるマスクを設置し、前記基板に背反するターゲットの背面近傍に磁気回路を移動自在に設置して、前記磁気回路をターゲットの一側から他側にわたって往復移動させながらスパッタリングを行なう薄膜形成装置において、前記内マスク部材の電位を測定する電位計と、前記磁気回路の位置を検知する位置センサと、前記電位計と位置センサとに接続して設けられ、前記位置センサより予め決めた範囲内の磁気回路位置を示す出力が行なわれる時のみ前記電位計の出力値を読み取り、読み取った出力電圧値の絶対値を予め決めた基準電圧値と比較し、前記出力電圧値の絶対値が基準電圧値より小さい時にエラー信号を出力する比較器とを設置したことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/35

FI (2件)：

C23C 14/34 U ,  C23C 14/35 C

Fターム (7件)：

4K029AA09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC46 ,  4K029EA09 ,  4K029HA03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 直流マグネトロンスパッタ方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-099489   出願人：株式会社日立製作所