特許
J-GLOBAL ID：200903025223501166
超音波トランスデューサおよびその製造法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-208899
公開番号（公開出願番号）：特開平7-046693
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 高出力化・小型化に適した超音波トランスデューサを容易に実現する。【構成】 超音波トランスデューサ5は、薄層状圧電素子1と、これを挟持した2つの共振体2a,2bから成る。一方の共振体2aの表面に音響整合層3を形成し、その表面を音響放射面6とした。他方の共振体2bの表面に背面負荷材4を形成した。2つの共振体2a,2bはその平面形状が薄層状圧電素子1よりも大きく形成されている。両共振体2a,2bの端面は薄層状圧電素子1に接合されるとともに、薄層状圧電素子1の外周で硬化時の線収縮率が大きい接合樹脂7により接合されている。
請求項（抜粋）：
圧電振動子と、該圧電振動子の一方の面に形成された音響整合層と、前記圧電振動子の他方の面に形成された背面負荷材とを基本構成要素とする超音波トランスデューサにおいて、前記圧電振動子を、薄層状の圧電素子と、該圧電素子を圧着力を持って挟持し、且つ該圧電素子へ一体に固着された2つの共振体とからなる厚さ方向超音波共振器として構成したことを特徴とする超音波トランスデューサ。
IPC (5件)：
H04R 17/00 330
, H04R 17/00
, A61B 8/00
, H04R 17/10 330
, H04R 31/00 330
