特許
J-GLOBAL ID：200903025224159933
集積化半導体レーザー及び検出器構造、並びにその形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-234111
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121878
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 検出器との電気接合が可能で、光検出にかかる時間を短縮し、検出器の層の厚さを調整することができる、集積された半導体レーザー及び検出器構造の提供。【解決手段】 表面発光レーザー52は、ITOで形成された透過性電極層76、84の間に挟まれたp-i-nフォトダイオード78、80、82によるその出力表面において提供される。透過性電極76、84の接点の間に挟まれたフォトダイオード層78、80、82に構成される検出器構造72は、中間のSiN絶縁層74によってレーザー構造52から絶縁される。
請求項（抜粋）：
集積された半導体レーザー及び検出器構造であって、前記構造が、ある波長の光を発光し、主に第1の材料によって形成される縦形キャビティである表面発光レーザー、及び前記レーザーによって発光された波長の光に対して比較的透過性があり、前記第1の材料とは異なる第2の材料によって主に形成される検出器を含み、前記レーザー及び前記検出器が、中間に配置された1層以下の比較的透過性がある層によって相互に分離され、レーザーによって発光される光の少なくとも一部が検出器を通るように位置合せされる、集積化半導体レーザー及び検出器構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
