特許
J-GLOBAL ID：200903025226918467
半導体素子のバンプ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014113
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203909
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の複数の電極に同時にバンプを形成し、タクトタイムを短縮すると共に、半導体素子と回路基板との接合の信頼性を向上する半導体素子のバンプ形成方法の提供。【構成】 半導体素子1の上方に位置し前記半導体素子1の各電極2のそれぞれに対向する孔7を底面に設けた容器6aに溶融金属4または導電性ペースト4を充填する充填工程と、前記溶融金属4または導電性ペースト4を前記孔7から滴下させ、前記滴下した溶融金属4または導電性ペースト4によって前記半導体素子1の前記各電極2に同時にバンプを形成するバンプ形成工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体素子の上方に位置し前記半導体素子の各電極のそれぞれに対向する孔または凸状孔を底面に設けた容器に溶融金属または導電性ペーストを充填する充填工程と、前記溶融金属または導電性ペーストを前記孔または凸状孔から滴下させ、前記滴下した溶融金属または導電性ペーストによって前記半導体素子の前記各電極に同時にバンプを形成するバンプ形成工程とを有することを特徴とする半導体素子のバンプ形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 D
, H01L 21/92 604 E
