特許
J-GLOBAL ID：200903025227733843
半導体用放熱板とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-163472
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354699
出願日： 1998年06月11日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイス搭載基板を良好に半田接合できる半導体用放熱板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体用放熱板は高熱伝導性金属に低熱膨張係数の繊維または粒子が複合された基材1の、少なくとも半導体デバイス搭載基板を半田接合する部分にNi合金層2が被覆されている。【効果】 半田濡れ性の良いNi合金層2が被覆されているので、半導体デバイス搭載基板との半田接合部が厚く均一に形成され、このため前記基板と放熱板との間の熱歪みは前記半田接合部に良好に吸収されて半田接合部に割れが入ったりせず、従って前記半導体デバイスからの発熱は放熱板により良好に放熱される。Ni合金層2は通常の電解めっきまたは無電解めっきにより容易に被覆でき、また放熱板を水素含有雰囲気中で加熱処理してNi合金層表面の酸化膜を薄くすることにより半田濡れ性が一層向上する。
請求項（抜粋）：
高熱伝導性金属に低熱膨張係数の繊維または粒子が複合された基材の、少なくとも半導体デバイス搭載基板を半田接合する部分にNi合金層が被覆されていることを特徴とする半導体用放熱板。
IPC (4件)：
H01L 23/373
, C22C 1/09
, C22C 1/10
, C25D 5/12
H01L 23/36 M
, C22C 1/09 G
, C22C 1/10 G
, C25D 5/12
